【CNMO科技动静】8月3日动静，日本存储企业铠侠正加快结构人工智能用下一代NAND市场，规划于本年陆续量产面向AI数据中央及终端AI装备的最新规格NAND解决方案。这一动向被业界视为对于三星电子、SK海力士等韩国存储企业追逐态势的加快回应。

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据市场研究机构TrendForce数据，铠侠本年第一季度全世界NAND市场份额为13.9%，位列三星电子（31.6%）及SK海力士（17.6%）以后，排名第三。虽然营收范围不和韩国竞争敌手，但铠侠的技能开发速率得到业界高度评价，特别于AI财产需求激增的高机能、高效率NAND范畴，本年已经取患上显著结果。

上个月初，铠侠于日本岩手县北上市工场（K2）启动了第十代（BiCS 10）3D NAND的量产。NAND存储经由过程将存储单位垂直重叠的方式不停演进，铠侠的第十代NAND实现了332层重叠。三星电子及SK海力士今朝已经乐成量产第九代NAND，因为各企业的代际层数计较尺度差别，没法直接横向比力，但三家企业均已经进入300层以上高重叠NAND的量产阶段，这一点具备主要意义。

基在第十代NAND技能，铠侠已经商用化撑持PCIe 6.0接口的数据中央用企业级固态硬盘CM10。PCIe 6.0 SSD是本年最先量产的最新接口尺度，据铠侠先容，CM10比拟前代产物挨次读取机能最高晋升92%，随机读取机能晋升约85%。面向终端AI市场的UFS 5.0存储规划本年底最先量产，这是本年起商用化的最新内置存储规格，重要用在挪动装备NAND，数据处置惩罚速率约为前代UFS 4.1的两倍。铠侠的UFS 5.0搭载自研节制器及第八代NAND。

面临铠侠的攻势，韩国存储企业也于加快开发尖端NAND解决方案。行业龙头三星电子正睁开踊跃结构，上个月初已经最先量产PCIe 6.0企业级固态硬盘PM1763，该产物搭载第九代V NAND及4纳米制程的新型节制器。三星电子的UFS 5.0存储已经在本年6月完成开发，规划第四序度投入量产，其特色是基在第九代NAND实现了业界最高程度的10.8GB/s数据传输带宽及功耗效率。

下一代第十代（V10）NAND方面，三星电子公布本月最先量产。据推测，三星电子V10 NAND的重叠层数于430层摆布。从第十代最先，三星电子将初次采用混淆键合技能，以和将单位分三次重叠的3-stack工艺。一名半导体业界人士暗示，三星电子近期已经完成V10 NAND的内部产物量产核准，正式宣布了量产规划，但因为年夜范围量产装备投资还没有彻底睁开，早期产量估计处在较低程度。

跟着AI数据中央设置装备摆设及终端AI装备普和动员存储需求连续爬升，韩日存储巨头于下一代NAND范畴的技能竞赛正进入白热化阶段。从PCIe 6.0企业级固态硬盘到UFS 5.0挪动存储，两边于产物规格及量产时间表上的比武，将直接影响将来AI基础举措措施的存储供给链格式。

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